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這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表，碳化硅(SiC)單
發布時間：2016-08-05 點擊次數：284
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單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不
發布時間：2016-11-29 點擊次數：181
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碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度
發布時間：2017-10-26 點擊次數：183
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為了提高多線切割機的切割效率，多線切割機分段切割碳化硅晶體的方法，該方法是根據所切割過程中晶體柱截面不同位置對應的切割長度的不同，變化切割速度，將工作臺的勻速進給切割改為連續、分段不同速度進給，從而保證切割質量的前提下提高了切割效率。鑒于現
發布時間：2019-07-23 點擊次數：198
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半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史，簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質，對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述，詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
發布時間：2020-03-04 點擊次數：386
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SiC晶體結構具有同質多型的特點，其基本結構是Si-C四面體結構，它是由四個Si原子形成的四面體包圍一個碳原子組成，按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍，屬于密堆積結構。SiC多型晶體的晶格常數a可以看作常數，而晶格常數c不同
發布時間：2020-03-17 點擊次數：207
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通常半導體單晶材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因，固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前，晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達到這
發布時間：2020-04-04 點擊次數：253
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DX-100功能：設備為單工作臺，可滿足各種單晶晶體的定向測量。特點：設備分上，下機體，體積小，便于放在桌面上測量。設備操作簡單，適合科研所、院校、實驗室等地方測量各種小尺寸單晶材料。
發布時間：2021-03-18 點擊次數：59
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所謂碳化硅定向材料，即結晶體內部的微粒在三維空間呈有規律地、周期性地排列，或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構成，整個晶體中質點在空間的排列為長程有序。單晶整個晶格是連續的，具有重要的工業應用。由于熵效應導致了固體微觀結構的不理
發布時間：2021-10-20 點擊次數：102
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單晶是由結構基元在三維空間內，呈周期排列而成的固態物質。單晶材料如水晶，金剛石，寶石等。單向有序排列決定了它具有以下特征：均勻性、各向異性、自限性、對稱性、內能和穩定性。隨著生產和科學技術的發展? 天然單晶已經不能滿足人們的需要，各種
發布時間：2021-11-22 點擊次數：92
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單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗
發布時間：2016-02-16 點擊次數：180
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結合單晶材料X射線應力測定基本原理,通過必要的理論分析,對現有單晶應力測定方法進行必要的改進和優化?；诠こ虒嶋H應用需要,精簡了單晶應力測定步驟并拓寬其應用范圍,即不需要事先已知2θ0,
發布時間：2017-05-22 點擊次數：431
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碳化硅主要用于功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術產品，而技術含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。⑴作為磨料，可用來做磨具，如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。⑵作為冶金脫氧劑和耐高溫材
發布時間：2019-08-12 點擊次數：189
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通常半導體材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因，固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前，單晶材料晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達
發布時間：2019-07-16 點擊次數：467
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碳化硅晶體是第三代寬帶隙半導體材料，和一代硅、二代砷化鎵半導體材料相比，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、電子飽和漂移速率高、電子遷移率高、介電常數小、抗輻射性能強、化學穩定性好等優良的物理化學性質，以及與硅集成電路工藝兼容等特點，優良
發布時間：2019-07-18 點擊次數：939
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以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的一代和二代半導體單晶材料的高速發展，推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限，這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作，不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射
發布時間：2019-04-26 點擊次數：283
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多孔陶瓷是一種含有一定量孔隙的非金屬固體粉末燒結體，用途十分廣泛。定向多孔碳化硅陶瓷是多孔陶瓷中的一種，因具有高過濾效率和高分離效率及優異的光電性能而備受關注。良好的碳化硅粉末堆積密度是制備高質量碳化硅陶瓷基礎之一，本文引入土力土質學中關于
發布時間：2020-02-10 點擊次數：176
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SiC是最早發現的半導體材料之一，自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來，SiC單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年，Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
發布時間：2020-03-12 點擊次數：113
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PVT法生長SiC單晶材料一般采用感應加熱方式，在真空下或惰性氣體氣氛保護的石墨坩堝中，以高純SiC粉為原料，在一定的溫度和壓力下，固態SiC粉在高溫下發生分解升華，生成具有一定結構形態的氣相組分SimCn，由于石墨坩堝反應腔軸向存在著溫度
發布時間：2020-03-24 點擊次數：145
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微管缺陷嚴重阻礙了多種SiC單晶定向器件的商業化，被稱為SiC器件的“殺手型”缺陷。大多數關于微管缺陷形成機制的討論都是基于微管與大伯格斯矢量超螺形位錯相結合的Frank理論。生長過程中，沿超螺旋位錯核心方向的高應變能密度會導致該處優先升華
發布時間：2020-04-09 點擊次數：708
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目前，半導體的研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石，閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向，它們的物理性能，化學性能差別非常大。例如：晶面的法向生長
發布時間：2020-04-29 點擊次數：240
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碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半導體材料，也是元素周期表中V族元素中一種固態碳化物單晶材料。SiC由碳原子和硅原子組成，但其晶體結構具有同質多型體的特點。在半導體領域常用的是4H-SiC和6H-SiC兩種，SiC與其它半導體材料具有相
發布時間：2020-05-18 點擊次數：129
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軟光刻和印刷技術的進展促進了可拉伸和可彎曲電子產品的開發方面巨大發展，相對傳統硬質的平臺提供了更多的新的令人興奮的功能性。一系列的柔性應用已經從基礎研究轉變為商業化產品，包括可彎折顯示器，用于跟蹤生物數據的智能手表和可穿戴的紫外劑量計。盡管
發布時間：2020-06-19 點擊次數：219
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早在1824年，瑞典科學家Berzelius(1779一1848)在人工合成金剛石的過程中就觀察到了SiC的存在，但是因為天然的SiC單晶極少，當時人們對SiC的性質幾乎沒有什么了解。中文名碳化硅晶體，外文名siliconcarbide
發布時間：2020-12-03 點擊次數：48
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世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件，如德國的英飛凌半導體公司，美國的Cree公司、通用電子公司、摩托
發布時間：2020-12-10 點擊次數：36
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首先從原理上看晶體的極性面。如果根據該cif文件確定晶向，通過R0=1.883、原子序數分別為14/6，帶入原子坐標可得[SiC4]四面體偶極矩主要為沿-c軸方向。而偶極矩方向是負極指向正極，那可以對應Si面為（000-1），C面為（000
發布時間：2021-03-03 點擊次數：94
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YX-12型X射線晶體定向儀（碳化硅晶體專用）此設備為單工作臺:主要測量碳化硅晶體的主、副參考面。設備同時配有2inch,4inch,6inch夾具各一套，分別夾持直徑2inch、4inch及6inch晶棒，用來實現參考面
發布時間：2022-07-25 點擊次數：50
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丹東新東方晶體儀器有限公司是從事X-RAY晶體定向及測試設備研發的民營高科技企業。目前公司主要產品是用于各種晶體定向及缺陷檢測的X-RAY晶體定向及檢測設備，年生產能力200臺套/年。產品現已出口十余個國家和地區。丹東新東方晶體
發布時間：2018-08-07 點擊次數：813
好品質 
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