單晶材料晶體生長是發生什么液面

發布日期：2022-03-08 00:00 來源：http://www.bct100.com 點擊：

　　單晶材料晶體生長是發生在固-液界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態，絕大部分熔體處于過熱態。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用純度高的多晶硅在單晶爐內拉制而成。單晶材料我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化快的。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。單晶硅是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。在開發能源方面是一種很有前途的材料。

　　且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大晶體的溫度低。單晶定向這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體，并由其轉出。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。藍寶石晶體定向這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體，并由其轉出。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法、區熔法和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。只有晶體溫度梯度增大，熔體溫度梯度減少，才能提高晶體生長速度。需指出：晶體生長速度并非越大越好，太大會出現不完全生長，影響質量。

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